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2SK3516-01L

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 24331

  • FUJITSU/富士通

  • TO-262

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 2SK3516-01L
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • T-pack(L-type)(FE)/TO-262

  • FUJI

  • 17+

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  • 原装正品。优势供应

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2SK3516-01L 技术参数
  • 2SK3484-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251(MP-3) 标准包装:1 2SK3483-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251(MP-3) 标准包装:1 2SK3482-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251(MP-3) 标准包装:1 2SK3481-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:200 2SK3480-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E
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