您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 2字母型号搜索 > 2字母第2155页 >

2SK3737-5-TL-E

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SK3737-5-TL-E
    2SK3737-5-TL-E

    2SK3737-5-TL-E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 7500

  • SANYO

  • SOT-323

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK3737-5-TL-E
    2SK3737-5-TL-E

    2SK3737-5-TL-E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • SANYO Semiconductor (U.S.

  • 3-MCP

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
2SK3737-5-TL-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 15V 30MA 3MCP
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> RF FET
  • 系列
  • -
  • 产品目录绘图
  • MOSFET SOT-23-3 Pkg
  • 标准包装
  • 3,000
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • N 通道 JFET
  • 频率
  • -
  • 增益
  • -
  • 电压 - 测试
  • -
  • 额定电流
  • 30mA
  • 噪音数据
  • -
  • 电流 - 测试
  • -
  • 功率 - 输出
  • -
  • 电压 - 额定
  • 25V
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 产品目录页面
  • 1558 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
2SK3737-5-TL-E 技术参数
  • 2SK3720-5-TB-E 功能描述:FET RF 15V 100MHZ 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:N 通道 频率:100MHz 增益:35dB 电压 - 测试:10V 额定电流:30mA 噪声系数:2dB 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3711 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8000pF @ 10V 功率 - 最大值:130W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,000 2SK3710 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220S 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8400pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3709 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 19A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SK3708 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801 2SK3811-ZP-E1-AY 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E
配单专家

在采购2SK3737-5-TL-E进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买2SK3737-5-TL-E产品风险,建议您在购买2SK3737-5-TL-E相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的2SK3737-5-TL-E信息由会员自行提供,2SK3737-5-TL-E内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号