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2SK3794-Z-E1-A

配单专家企业名单
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  • 2SK3794-Z-E1-AZ
    2SK3794-Z-E1-AZ

    2SK3794-Z-E1-AZ

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • N

  • TO252-2

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 2SK3794-Z-E1-AZ
    2SK3794-Z-E1-AZ

    2SK3794-Z-E1-AZ

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 47960

  • N

  • TO252-2

  • 15+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK3794-Z-E1-AZ
    2SK3794-Z-E1-AZ

    2SK3794-Z-E1-AZ

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 10000

  • N

  • TO252-2

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

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  • 1
2SK3794-Z-E1-A PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK3794-Z-E1-A 技术参数
  • 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:TO-220 隔离的标片 标准包装:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:N 通道 频率:470MHz 增益:12dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:32dBm 电压 - 额定:7.5V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3748-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-94 供应商器件封装:TO-3PF-3 标准包装:30 2SK3748 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PML 标准包装:100 2SK3747-MG8 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PML 标准包装:25 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q)
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