2SK3799,K37

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2SK3799,K3799
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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TOSHIBA原装
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2SK3799,K37 技术参数

2SK3796-4-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3796-3-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3796-2-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:600μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:TO-220 隔离的标片标准包装:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:470MHz 增益:12dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:32dBm 电压 - 额定:7.5V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS