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2SK3804-01S

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  • 2SK3804-01S
    2SK3804-01S

    2SK3804-01S

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 4250

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 2SK3804-01S
    2SK3804-01S

    2SK3804-01S

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • FUJITSU/富士通

  • TO-263

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

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2SK3804-01S 技术参数
  • 2SK3801 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,000 2SK3800VR 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3800VL 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3800 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3796-4-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.5mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E
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