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2SK3916-01

配单专家企业名单
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  • 2SK3916-01
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  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • FUJITSU/富士通

  • TO-220AB

  • 22+

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  • 十年配单,只做原装

  • 2SK3916-01
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • FUJI

  • TO-220

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • 2SK3916-01
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  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • FUJI/富士电机

  • TO-220

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • 2SK3916-01
    2SK3916-01

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-220AB

  • FUJI

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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2SK3916-01 技术参数
  • 2SK3906(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):330 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4250pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:50 2SK3892 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3177pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:50 2SK3868(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):550pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):196nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12400pF @ 10V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):79nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:100 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E
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