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2SK715W-AC

配单专家企业名单
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  • 2SK715W-AC
    2SK715W-AC

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 1308+

  • -
  • 全新原装现货库存!400-800-030...

  • 2SK715W-AC
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 201321

  • -
  • 原装正品,现货库存。400-800-03...

  • 2SK715W-AC
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • 3-SPA

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK715W-AC
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • TO92S

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK715W-AC
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • TO92S

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 功能描述
  • MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 8,000
  • 系列
  • -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 1.2mA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大
  • 10mA
  • FET 型
  • N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
  • -
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id
  • 180mV @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 4pF @ 10V
  • 电阻 - RDS(开)
  • 200 欧姆
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 封装/外壳
  • 3-XFDFN
  • 供应商设备封装
  • 3-ECSP1006
  • 功率 - 最大
  • 100mW
2SK715W-AC 技术参数
  • 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):14.5mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):10mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715V 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):10mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715U-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):7.3mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715U 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):7.3mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G
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