2SK880GRTE85LF全国供应商【买卖IC网】2SK880GRTE85LF资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
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封装
批号
价格
说明
操作

2SK880GRTE85LF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

2SK880GRTE85LF
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TOSHIBA代理
刚到货
新批次
-
TOSHIBA代理可含税开票

2SK880GRTE85LF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
28280
TOSHIBA
1521+
-
全新原装现货

2SK880GRTE85LF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
53391
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

2SK880GRTE85LF
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
16000
Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

2SK880GRTE85LF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TOSHIBA
原封装
最新批号
-
一级代理,原装正品现货！

2SK880GRTE85LF
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
4602
Toshiba Semiconductor and
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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您是不是要找： 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
MOSF N CH 50V 100MW USM

2SK880GRTE85LF 技术参数

2SK880-BL(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-GR(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17