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23LCV512-I/ST

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  • 功能描述
  • 静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat
  • RoHS
  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 存储容量
  • 16 Mbit
  • 组织
  • 1 M x 16
  • 访问时间
  • 55 ns
  • 电源电压-最大
  • 3.6 V
  • 电源电压-最小
  • 2.2 V
  • 最大工作电流
  • 22 uA
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 最小工作温度
  • - 40 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • TSOP-48
  • 封装
  • Tray
23LCV512-I/ST 技术参数
  • 23LCV512-I/SN 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512-I/P 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512-E/ST 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512-E/SN 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23LCV512-E/P 功能描述:静态随机存取存储器 512K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 23S05-1DCGI 23S05-1DCGI8 23S05-1HDCG 23S05-1HDCG8 23S05-1HDCGI 23S05-1HDCGI8 23S05E-1DCG 23S05E-1DCG8 23S05E-1DCGI 23S05E-1DCGI8 23S05E-1HDCG 23S05E-1HDCG8 23S05E-1HDCGI 23S05E-1HDCGI8 23S05T-1DCG 23S05T-1DCG8 23S05T-1DCGI 23S05T-1DCGI8
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