2N2219A

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN General Purpose
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N2219A 技术参数

2N2219 功能描述:TRANS NPN 30V 0.8A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N2218AL 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO5 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N2218A 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N2218 功能描述:TRANS NPN 30V 0.8A TO39 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39（TO-205AD）标准包装:1 2N2102S 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N2222AL 2N2222AUA 2N2222AUATX 2N2222AUATXV 2N2222AUB 2N2222AUBTX 2N2222AUBTXV 2N2223 2N2223A 2N2270 2N2323 2N2323A 2N2323AS 2N2323AU4 2N2323S 2N2323U4 2N2324 2N2324A