2N2905

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功能描述
两极晶体管 - BJT USE 511-2N2905A TO-39 PNP GEN PUR SS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N2905 技术参数

2N2904AL 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO5 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N2904A 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N2904 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:3W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N2903A 功能描述:TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N2903 功能描述:TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N2907A DL 2N2907A W/GOLD 2N2907AL 2N2907AUA 2N2907AUB 2N2913 2N2914 2N2915 2N2915A 2N2916 2N2916A 2N2917 2N2918 2N2919 2N2919A 2N2919L 2N2919U 2N2920