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2SC5606-T1

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2SC5606-T1 技术参数
  • 2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC559200L 功能描述:TRANS NPN 15V 2.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):320mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SC5585TL 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SC5569-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):7A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):240mV @ 175mA,3.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SC5566-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 4A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):225mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E 2SC5706-H 2SC5706-P-E 2SC5706-P-TL-E 2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-H 2SC5707-E 2SC5707-TL-E 2SC57250SL 2SC5729T106Q
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