型号: | 2SA1752-RB |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 0.5 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | 2SA1752-RB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC3952-SA | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
2SA1540-YA | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC3956-LS | 0.2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC3781-YA | 0.4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
2SA1539-RA | 0.3 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1759T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1761(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk |
2SA1761,F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SA1761,T6F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SA1761,T6F(M | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |