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参数资料
| 型号： | 2SB1218G-R |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | 2SB1218G-R |
2SA1773 / 2SC4616
No.3399-3/5
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
f T -- IC
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
hFE -- IC
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
2SA1773
VCE=--10V
T
a=75
°C
--25
°C
--2.0
--1.6
--1.2
--0.4
--0.8
--1.8
--1.4
--1.0
--0.2
--0.6
0
2.0
1.6
1.2
0.4
0.8
1.8
1.4
1.0
0.2
0.6
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.2
--1.0
ITR04607
2SC4616
VCE=10V
ITR04608
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
25
°C
IB=0mA
ITR04606
--200
--160
--120
--80
--40
0
--4
--8
--12
--16
--20
200
160
120
80
40
0
04
8
12
16
20
IB=0mA
--0.2mA
--0.4mA
--0.6mA
--0.8mA
--1.0mA
--1.2mA
--1.4mA
--1.6mA
--1.8mA
--2.0mA
2SA1773
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
1.0mA
1.2mA
1.4mA
1.6mA
1.8mA
2SC4616
ITR04605
2SA1773
VCE=--10V
3
100
10
2
7
5
7
5
3
2
7
5
32
5
3
--10
7 --100
25
37 --1000
7
5
32
5
3
10
7 100
25
37 1000
ITR04611
2SC4616
VCE=10V
3
100
10
2
7
5
7
5
3
2
ITR04612
Ta=75
°C
--25
°C
2SA1773
VCE=--10V
ITR04609
100
7
5
3
5
3
2
3
2
10
7
5
--1000
--10
3
32
5
3
23
2
5
--100
100
7
5
3
5
3
2
3
2
10
7
5
1000
10
3
32
5
3
23
2
5
100
Ta=75°C
--25°C
25
°C
2SC4616
VCE=10V
ITR04610
25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1218GR | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1219GS | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1219G | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220S | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220T | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1218GRL | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1218GSL | 功能描述:TRANS PNP 45VCEO 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1219 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB12190RL | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1219AQR | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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