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参数资料
| 型号： | 2SD1419DETL-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, SC-68, UPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SD1419DETL-E |
2SD1419
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5
Main Characteristics
8
410
6
2
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Typical Output Characteristics
Collector
Current
I
C
(A)
IB = 0
1
2
5
10
15
20
25
30
35
0.5 mA
00.4
0.8
0.2
0.6
1.0
Base to Emitter Voltage VBE (V)
500
200
100
50
20
5
2
1
10
Typical Transfer Characteristics
Collector
Current
I
C
(mA)
VCE = 5 V
Ta
=
7
5°
C
25
–25
10
100
1,000
30
300
3
1
Collector Current IC (mA)
300
250
200
150
100
50
0
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs. Collector Current
VCE = 5 V
Ta = 75°
C
25
–25
10
100
1,000
30
300
3
1
Collector Current IC (mA)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Base
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
Saturation Voltage vs. Collector Current
IC = 10 IB
Pulse
VCE(sat)
VBE(sat)
10
30
100
300
1,000
Collector Current IC (mA)
240
200
160
120
80
40
0
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
VCE = 5 V
Pulse
150
100
50
Ambient Temperature Ta (°C)
0
1.2
0.8
0.4
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector
Power
Dissipation
P
C
(W)
(on
the
alumina
ceramic
board)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1419DETL-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DE | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420 | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EC | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EB | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SD1423ARA | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1425 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-3P 1500V 2.5A 80W BCE |
| 2SD1426 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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