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参数资料
| 型号： | 2SJ556 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.055 ohm, POWER, FET |
| 封装： | TO-3PFM, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 2SJ556 |
2SJ556
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-645A (Z)
2nd. Edition
Jun 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.028 typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ557A | 2500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ557A | 2500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ560 | 1.5 A, 20 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ562 | 2 A, 20 V, 0.315 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ567(2-7B1B) | 2.5 A, 200 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ557 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| 2SJ557-T1B-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SC-96 T/R 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SC-96 T/R Cut Tape |
| 2SJ559 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SJ56 | 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:MOSFET P-Ch 200V 8A High Speed TO-3 |
| 2SJ560 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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