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参数资料
| 型号： | 2SK3211(L) |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SK3211(L) |
2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760A (Z)
Target Specification 2nd. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
R
DS = 40m typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3211(S) | |
| 2SK3274(L) | |
| 2SK3274(S) | |
| 2SK3418-E | 85 A, 60 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3451-01 | High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3211L-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3211S | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3211STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3212 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3212-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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