30AZT47

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功能描述
瓷片电容器 AXIAL CERAMIC DISC
RoHS
否
制造商
Vishay/Cera-Mite
电容
0.01 uF
容差
20 %
电压额定值
3 kV
工作温度范围
- 25 C to + 105 C
损耗因数 DF
端接类型
Radial
产品
High Voltage Ceramic Disc Capacitors

30AZT47 技术参数

30AYP6C 功能描述:FILTER 3-PHASE RFI SINGLE 30A 制造商:te connectivity corcom filters 系列:A 零件状态:有效滤波器类型:三相（星接）配置:两级电压 - 额定 DC:- 电压 - 额定 AC:- 电压 - 额定 AC（相对地/相对中性点）:250V 电压 - 额定 AC（相对相）:440V 电流:30A 频率 - 工作:50/60Hz 应用:通用认可:CSA，UL 工作温度:-10°C ~ 40°C 安装类型:底座安装端子类型:螺纹接线柱（1/4-20）电感:1.97mH 标准包装:1 30A02MH-TL-H 功能描述:TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:220mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:3,000 30A02MH-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:220mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:3,000 30A02CH-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:220mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:700mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 30A01SS-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 0.3A 3SSFP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:220mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:1 30BCF6R 30BLK 30BQ015 30BQ015TR 30BQ040 30BQ040TR 30BQ060 30BQ060TR 30BQ100 30BQ100TR 30BQ150TR 30BQ200TR 30C01SS-TL-E 30C02CH-TL-E 30C02MH-TL-E 30C02MH-TL-H 30C1007-1 30C1023-1