3N1H102G

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3N1H102G 技术参数

3N164 功能描述:MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 欧姆 @ 100μA，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:200 3N163-E3 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 欧姆 @ 100μA，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:200 3N163-2 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 欧姆 @ 100μA，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:20 3N163 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 欧姆 @ 100μA，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:200 3N104-D000-S08 BF 功能描述:4 Position Circular Connector Plug, Male Pins Solder Cup Gold 制造商:3m 系列:3N1 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插头，公引脚针脚数:4 外壳尺寸 - 插件:M12-4 外壳尺寸，MIL:- 安装类型:自由悬挂端接:焊杯紧固类型:有螺纹朝向:D 侵入防护:IP68 - 防尘，防水外壳材料，镀层:热塑塑胶触头镀层:金特性:后壳触头镀层厚度:8μin（0.20μm）额定电流:4A 电压 - 额定:250VDC 工作温度:-25°C ~ 85°C 标准包装:100 3N246-E4/72 3N246-M4/51 3N247 3N247-E4/45 3N247-E4/51 3N247-E4/72 3N247-M4/51 3N248 3N248-E4/45 3N248-E4/51 3N248-E4/72 3N248-M4/51 3N249 3N249-E4/45 3N249-E4/51 3N249-E4/72 3N249-M4/51 3N250