40F100E

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

40F100E
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Ohmite
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

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功能描述
线绕电阻器 - 透孔 10watt 100ohm 1% Axial
RoHS
否
制造商
Bourns
电阻
10 Ohms
容差
5 %
功率额定值
7 W
温度系数
200 PPM / C
系列
FW
端接类型
Axial
工作温度范围
- 55 C to + 155 C
尺寸
9.5 mm Dia. x 26 mm L
封装
Ammo
产品
Power Resistors Wirewound High Energy

40F100E 技术参数

40F 功能描述:TELECOM FUSE KIT 制造商:eaton 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 40EPS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:450ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:450ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247AC 改进型工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 40F12KE 40F12R 40F12RE 40F13K 40F13KE 40F150 40F150E 40F15K 40F15KE 40F15R 40F15RE 40F17K 40F17KE 40F180 40F180E 40F1K0 40F1K0E 40F1K1