50MT36-01-1-04N

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50MT36-01-1-04N 技术参数

50MT36-01-1-03S 功能描述:SWITCH ROTARY SS SEALED, 36 DEG 制造商:grayhill inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 50MT36-01-1-03N 功能描述:SWITCH ROTARY MILITARY, PROCESS 制造商:grayhill inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 50MT36-01-1-02N 功能描述:SWITCH ROTARY MILITARY, PROCESS 制造商:grayhill inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 50MT060WH 功能描述:IGBT Module PT Half Bridge 600V 114A 658W Chassis Mount 12-MTP Module 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:PT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:114A 功率 - 最大值:658W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:400μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.1nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:12-MTP 模块供应商器件封装:12-MTP 标准包装:15 50MT060ULS 功能描述:IGBT Module Single 600V 100A 445W Chassis Mount 10-MTP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.55V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14.7nF @ 30V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:10-MTP 供应商器件封装:10-MTP 标准包装:15 50MT36-01-2-02S 50MT36-01-2-03N 50MT36-01B10N 50MT36-01B10S 50MT45-01-1-03N 50MT45-01-1-04N 50MT45-01-1-05N 50MT45-01-1-07N 50MT45-01-1-08N 50MT45-01-2-02N 50MT45-01-2-03N 50MT45-01-2-04N 50MT45-01B08N 50MT60-01-1-02N 50MT60-01-1-03N 50MT60-01-1-04N 50MT60-01-1-05N 50MT60-01-1-06N