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5LP02C-TB

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  • 5LP02C-TB-E
    5LP02C-TB-E

    5LP02C-TB-E

    现货
  • 深圳成德兴科技有限公司
    深圳成德兴科技有限公司

    联系人:马庆勇

    电话:0755-82567711

    地址:深南中路佳和电子大厦(华强三店)三楼3C072室

    资质:营业执照

  • 14536

  • ON

  • SOT23-3

  • 22+

  • -
  • 原装现货 可含税 可拆样品

  • 5LP02C-TB
    5LP02C-TB

    5LP02C-TB

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SANYO

  • SOT-23

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 5LP02C-TB
    5LP02C-TB

    5LP02C-TB

  • 深圳市桂鹏科技有限公司
    深圳市桂鹏科技有限公司

    联系人:田小姐/高先生/李小姐

    电话:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D(地王大厦周边)

    资质:营业执照

  • 82810298

  • SANYO

  • SOT-23

  • 15+

  • -
  • 深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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5LP02C-TB 技术参数
  • 5LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 5LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LP01SP-AC 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B 5M1220B-2 5M1220B-3 5M1220BCT
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