型号: | 5KP6.0T |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 158K |
代理商: | 5KP6.0T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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50PF80 | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
50PFR40 | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
5KP22CA-2 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
5KP45CAB-2 | 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
5KP5.0AB-2 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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5KP60-T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP60-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 60V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
5KP64 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 64Vso 50VAC 44A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP64/23 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KW 64V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
5KP64/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5KW 64V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |