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6116LA20TDB

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6116LA20TDB 技术参数

6116LA20SOGI8 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA20SOGI 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA20SOG8 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA20SOG 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA15SOGI8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 15NS 24SOIC 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16K（2K x 8）速度:15ns 接口:并联电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:24-SOIC 标准包装:1,000 6116SA15TPG 6116SA20SOG 6116SA20SOG8 6116SA20TPG 6116SA20TPGI 6116SA25SOG 6116SA25SOG8 6116SA25SOGI 6116SA25SOGI8 6116SA25TPG 6116SA25TPGI 6116SA35SOG 6116SA35SOG8 6-117249-2 61173-1 61173-4 61173-5 61174-1