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6116LA35TDB

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 制造商
  • Integrated Device Technology Inc
  • 功能描述
  • SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 35ns 24-Pin CDIP
6116LA35TDB 技术参数
  • 6116LA25TPG 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA25SOGI8 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA25SOGI 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA25SOG8 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116LA25SOG 功能描述:静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 6116SA25SOGI 6116SA25SOGI8 6116SA25TPG 6116SA25TPGI 6116SA35SOG 6116SA35SOG8 6-117249-2 61173-1 61173-4 61173-5 61174-1 61174-4 61174-5 61177-2 61177-3 6118 61187-1 61188-1
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