6A-05F

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6A-05F 技术参数

6A05 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A04-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A P600 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:P600，轴向供应商器件封装:P600 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A04B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A02-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A02B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A06B-G 6A06-G 6A08B-G 6A08-G 6A1 6A10 6A100G A0G 6A100G B0G 6A100G R0G 6A100GHA0G 6A100GHB0G 6A100GHR0G 6A10B-G 6A10-G 6A10G A0G 6A10G B0G 6A10G R0G 6A10GHA0G