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6A05-B

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 6A05-B
    6A05-B

    6A05-B

  • 深圳市煌盛达科技有限公司
    深圳市煌盛达科技有限公司

    联系人:贺小姐

    电话:18948314511

    地址:平湖华南城华利嘉

    资质:营业执照

  • 12000

  • DIODES INC.

  • 原厂原封装

  • 20+

  • -
  • 原装库存,全新进口,可电13689551...

  • 6A05-BP
    6A05-BP

    6A05-BP

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 200

  • MICRO COMMERCIAL COMPONEN

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
6A05-B PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 50V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
6A05-B 技术参数
  • 6A05 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A04-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A P600 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A04B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A02-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A02B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A06B-G 6A06-G 6A08B-G 6A08-G 6A1 6A10 6A100G A0G 6A100G B0G 6A100G R0G 6A100GHA0G 6A100GHB0G 6A100GHR0G 6A10B-G 6A10-G 6A10G A0G 6A10G B0G 6A10G R0G 6A10GHA0G
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