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6A10000198

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6A10000198 技术参数
  • 6A10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A1 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A08-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A08B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A06-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:100pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:250 6A10G B0G 6A10G R0G 6A10GHA0G 6A10GHB0G 6A10GHR0G 6A10-T 6A10TA 6A10-TP 6A11-A0121-001.0-0 6A11-A0121-002.0-0 6A11-A0121-003.0-0 6A11-A0121-004.0-0 6A11-A0121-005.0-0 6A11-A0121-006.0-0 6A11-A0121-007.0-0 6A11-A0121-008.0-0 6A11-A0121-009.0-0 6A11-A0121-010.0-0
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