6AQ150KEBSA

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功能描述
CAP CER 15PF 500V 10% RADIAL
RoHS
否
类别
电容器 >> 陶瓷
系列
-
标准包装
4,000
系列
-
电容
1000pF
电压 - 额定
50V
容差
±10%
温度系数
X7R
安装类型
表面贴装，MLCC
工作温度
-55°C ~ 125°C
应用
自动
额定值
AEC-Q200
封装/外壳
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸
0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm）
高度 - 座高（最大）
-
厚度（最大）
-
引线间隔
-
特点
-
包装
带卷 (TR)
引线型
-

6AQ150KEBSA 技术参数

6A8-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 6A8TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 6A8-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T 6AT56-T2 6AT6 6AT7 6AT70 6AT7-T