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参数资料
| 型号： | 63CTQ100 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 63CTQ100 |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94245
4
Revision: 13-Aug-08
63CTQ100PbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
030
IF(AV) - Average Forward Current (A)
Allo
wab
le
Case
T
e
mperature
(°C)
110
160
130
20
15
10
5
See note (1)
25
180
90
Square wave (D = 0.50)
80 % rated V
R applied
35
40
45
100
120
140
150
170
DC
0
025
20
A
v
era
g
e
P
o
wer
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
5
101520
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
30
10
15
5
35
40
45
30
RMS limit
25
DC
100
1000
tp - Square Wave Pulse Duration (s)
I FSM
-
Non-Repetitive
Sur
g
e
Current
(A)
100
10 000
10
10 000
1000
At any rated load condition
and with rated V
RRM applied
following surge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CTQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63SPB080AR | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63SPB080 | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63SPB080A | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 63CTQ100G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 2x30 Amp 100 Volt 1500 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| 63CTQ100G-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
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