70T3339S133DDI

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70T3339S133DDI 技术参数

70T3339S133BFI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 9MBIT 512KX18 15NS/4.2NS 208FPBGA - Tape and Reel 70T3339S133BFI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T3339S133BFGI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T3339S133BF8 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T3339S133BF 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T3399S133BFI 70T3399S133BFI8 70T3399S166BC 70T3399S166BC8 70T3399S200BC 70T3399S200BC8 70T3509MS133BP 70T3509MS133BPG 70T3509MS133BPGI 70T3509MS133BPI 70T3519S133BC 70T3519S133BC8 70T3519S133BCI 70T3519S133BCI8 70T3519S133BF 70T3519S133BF8 70T3519S133BFGI 70T3519S133BFGI8