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  • 70T651S12BFI8
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  • IDT, Integrated Device Te
  • 16+
  • 208-LFBGA
  • 70T651S12BFI8
  • 8700
  • IDT, Integrated Device Te
  • 16+
  • 208-CABGA(15x15)
1
70T651S12BFI8
参数信息:

制造商:Integrated Device Technology Inc

功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA T/R

制造商:Integrated Device Technology Inc

功能描述:SRAM ASYNC DUAL 2.5V 9MBIT 256KX36 12NS 208FPBGA - Tape and Reel

70T651S12BFI8技术参数

70T651S12BFI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T651S12BFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:208 FPBGA - Tape and Reel 70T651S12BFGI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T651S12BF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 2.5V 9MBIT 256KX36 12NS 208FPBGA - Tape and Reel 70T651S12BF 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70T653MS10BCG 70T653MS12BC 70T653MS12BC8 70T653MS12BCGI 70T653MS12BCI 70T653MS12BCI8 70T653MS15BC 70T653MS15BC8 70T659S10BC 70T659S10BC8 70T659S10BCI 70T659S10BCI8 70T659S10BFI 70T659S10BFI8 70T659S10DR 70T659S12BC 70T659S12BC8 70T659S12BCI

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