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70V7519S133DRI8

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  • 70V7519S133DRI8
    70V7519S133DRI8

    70V7519S133DRI8

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖先生

    电话：13612973190

    地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • Renesas

  • 208-BFQFP

  • 22+

  • -

  • 原厂渠道，现货配单

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  • 功能描述
  • IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP
  • 制造商
  • idt, integrated device technology inc
  • 系列
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  • 标准包装
  • 200
70V7519S133DRI8 技术参数
  • 70V7519S133DRI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V7519S133DR 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V7519S133BFI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 9MBIT 256KX36 15NS/4.2NS 208FBGA - Tape and Reel 70V7519S133BFI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V7519S133BF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 9MBIT 256KX36 15NS/4.2NS 208FBGA - Tape and Reel 70V7519S200BC 70V7519S200BC8 70V7519S200BCG 70V7519S200BCG8 70V7599S133BC 70V7599S133BC8 70V7599S133BF 70V7599S133BF8 70V7599S133DR 70V7599S166BC 70V7599S166BC8 70V7599S166BF 70V7599S166BF8 70V7599S166DR 70V7599S200BC 70V7599S200BC8 70V9079L12PF 70V9079L12PF8
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