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71V424L12PHGI8
参数信息:

功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

RoHS:

制造商:Cypress Semiconductor

存储容量:16 Mbit

组织:1 M x 16

访问时间:55 ns

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.2 V

最大工作电流:22 uA

最大工作温度:+ 85 C

最小工作温度:- 40 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-48

封装:Tray

71V424L12PHGI8技术参数

71V424L12PHGI 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L12PHG8 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L12PHG 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L10YGI8 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L10YGI 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V424L15YG8 71V424L15YGI 71V424L15YGI8 71V424S10PHG 71V424S10PHG8 71V424S10PHGI 71V424S10PHGI8 71V424S10YG 71V424S10YG8 71V424S10YGI 71V424S10YGI8 71V424S12PHG 71V424S12PHG8 71V424S12PHGI 71V424S12PHGI8 71V424S12YG 71V424S12YG8 71V424S12YGI

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