80EPS16PBF HIGH VOLTAGE SERIES

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80EPS16PBF HIGH VOLTAGE SERIES
深圳市一线半导体有限公司
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80EPS16PBF HIGH VOLTAGE SERIES 技术参数

80EPS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.17V @ 80A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 80EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.17V @ 80A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 80EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:480ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 80EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:480ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 80EPF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:80A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:190ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 80F12K1 80F12R1 80F133 80F13K3 80F13R3 80F150 80F150K 80F15K 80F15R 80F162 80F16K2 80F16R2 80F182 80F18K2 80F18R2 80F1K0 80F1K1 80F1K21