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8EUS08S

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8EUS08S 技术参数
  • 8ETX06STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:800 8ETX06STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:800 8ETX06S 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,000 8ETX06FP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 整包 供应商器件封装:TO-220-2 整包 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,000 8ETX06-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO262 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):3V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,000 8EWF06STRR 8EWF10S 8EWF10STRL 8EWF12S 8EWF12STR 8EWS08S 8EWS08STR 8EWS08STRL 8EWS08STRR 8EWS10S 8EWS10STRL 8EWS12S 8EWS12STRL 8EWS16S 8EWS16STRL 8F1011C-Z 8F1011-Z 8F1012-Z
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