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2SB1427T100E

配单专家企业名单
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  • 2SB1427T100E
    2SB1427T100E

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 2SB1427T100E
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
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    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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2SB1427T100E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT PNP 20V 2A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2SB1427T100E 技术参数
  • 2SB1424T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 3A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1424T100Q 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1420 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 16mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 8A,4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,020 2SB1418AQA 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 2A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 8mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SB1418APA 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 2A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 8mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):4000 @ 2A,4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SB1457(T6CNO,A,F) 2SB1457(T6DW,F,M) 2SB1457(TE6,F,M) 2SB1457,T6TOTOF(J 2SB1457,T6YMEF(M 2SB1462G0L 2SB1462J0L 2SB1463GRL 2SB1463JRL 2SB1474TL 2SB1481(TOJS,Q,M) 2SB14880PA 2SB1495,Q(J 2SB1495,Q(M 2SB15040QA 2SB15040RA 2SB1548AP 2SB1559
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