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BZX284-C5V6/YX

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BZX284-C5V6/YX 技术参数
  • BZX284-C5V6,135 功能描述:Zener Diode 5.6V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:11,000 BZX284-C5V6,115 功能描述:Zener Diode 5.6V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:3,000 BZX284-C5V1,115 功能描述:Zener Diode 5.1V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):60 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:1 BZX284-C56,115 功能描述:Zener Diode 56V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):120 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 39.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:3,000 BZX284-C51,115 功能描述:Zener Diode 51V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):110 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-110 供应商器件封装:SOD2 标准包装:3,000 BZX284-C9V1,115 BZX384-B10,115 BZX384B10-E3-08 BZX384B10-E3-18 BZX384B10-G3-08 BZX384B10-G3-18 BZX384B10-HE3-08 BZX384B10-HE3-18 BZX384-B11,115 BZX384B11-E3-08 BZX384B11-E3-18 BZX384B11-G3-08 BZX384B11-G3-18 BZX384B11-HE3-08 BZX384B11-HE3-18 BZX384-B12,115 BZX384B12-E3-08 BZX384B12-E3-18
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