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A2I08H040GNR1

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  • A2I08H040GNR1
    A2I08H040GNR1

    A2I08H040GNR1

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 18000

  • Freescale Semiconductor -

  • 原厂封装

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

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  • 功能描述
  • RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15
  • 制造商
  • freescale semiconductor - nxp
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷（TR）
  • 零件状态
  • 有效
  • 晶体管类型
  • LDMOS（双）
  • 频率
  • 920MHz
  • 增益
  • 30.7dB
  • 电压 - 测试
  • 28V
  • 额定电流
  • -
  • 噪声系数
  • -
  • 电流 - 测试
  • 25mA
  • 功率 - 输出
  • 9W
  • 电压 - 额定
  • 65V
  • 封装/外壳
  • TO-270-15 变型，鸥翼
  • 供应商器件封装
  • TO-270WBG-15
  • 标准包装
  • 500
A2I08H040GNR1 技术参数
  • A2G35S200-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:16.1dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:291mA 功率 - 输出:180W 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-400S-2S 供应商器件封装:NI-400S-2S 标准包装:250 A2G35S160-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:3.4GHz ~ 3.6GHz 增益:15.7dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:190mA 功率 - 输出:51dBm 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-400S-2S 供应商器件封装:NI-400S-2S 标准包装:250 A2G26H281-04SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:2.496GHz ~ 2.69GHz 增益:14.2dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-780S-4L 供应商器件封装:NI-780S-4L 标准包装:250 A2G26H280-04SR3 A2G22S251-01SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 2.2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:52dBm 电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-400S-2S 供应商器件封装:NI-400S-2S 标准包装:250 A2I20H080GNR1 A2I20H080NR1 A2I22D050GNR1 A2I22D050NR1 A2I25D012GNR1 A2I25D012NR1 A2I25D025GNR1 A2I25D025NR1 A2I25H060GNR1 A2I25H060NR1 A2I35H060GNR1 A2I35H060NR1 A-2JA A2MXS-1006G A2MXS-1006M A2MXS-1018G A2MXS-1018M A2MXS-1036G
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