A2V28S30BTP-75

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A2V28S30BTP-75 技术参数

A2V09H525-04NR6 功能描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:720MHz ~ 960MHz 增益:18.9dB 电压 - 测试:48V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:688mA 功率 - 输出:120W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM-1230-4L 供应商器件封装:OM-1230-4L 标准包装:150 A2V09H400-04NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:720MHz ~ 960MHz 增益:17.9dB 电压 - 测试:48V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:688mA 功率 - 输出:107W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM-780-4L 供应商器件封装:OM-780-4L 标准包装:250 A2V09H300-04NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:720MHz ~ 960MHz 增益:19.7dB 电压 - 测试:48V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:53dBm 电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM-780-4L 供应商器件封装:OM-780-4L 标准包装:250 A2V07H525-04NR6 功能描述:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:595MHz ~ 851MHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:48V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:700mA 功率 - 输出:120W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM-1230-4L 供应商器件封装:OM-1230-4L 标准包装:150 A2V07H400-04NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:250 A30110307 A301104 A30110404 A30110404MT A30110407 A30110407MP A301105 A30110507MP A30110604 A30110607 A301107 A30110704 A30110804 A30110804MP A30110807MP A301113 A30111507 A301116