AFT27S006N-1000M

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AFT27S006N-1000M
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
NXP
qfp
20+
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原装正品现货,QQ1585971070

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AFT27S006N-1000M 技术参数

AFT26P100-4WSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 200mA 2.69GHz 15.1dB 22W NI-780S-4 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.69GHz 增益:15.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:22W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-4 供应商器件封装:NI-780S-4 标准包装:250 AFT26P100-4WGSR3 功能描述:TRANS RF 2.6GHZ 100W NI780S-6 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:* 零件状态:有效标准包装:250 AFT26HW050SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 100mA 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780-4S4 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.69GHz 增益:14.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:9W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780-4S4 供应商器件封装:NI-780-4S4 标准包装:250 AFT26HW050GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 100mA 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780GS 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.69GHz 增益:14.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:9W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780GS 供应商器件封装:NI-780GS 标准包装:250 AFT26H250W03SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 2.5GHz 14.1dB 50W NI-1230S-4 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.5GHz 增益:14.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:700mA 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230S-4 供应商器件封装:NI-1230S-4 标准包装:150 AFT32210A AFT38220A AFT38230A AFT38240A AFT38250A AFT38260A AFT47270A AFT47280A AFT47290A AFT47300A AFT47310A AFTAP002 AFTDE001 AFTMS001 AFTS AFV09P350-04GNR3 AFV09P350-04NR3 AFV10700GSR5