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AL05TB821K

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
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    联系人:陈先生

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AL05TB821K 技术参数
  • AL05A5N45GTR 功能描述:5.45nH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 8 mOhm Max Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:AL 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:空气 电感:5.45nH 容差:±2% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:100 @ 800MHz 频率 - 自谐振:7GHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:800MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.087" 长 x 0.056" 宽(2.21mm x 1.42mm) 高度 - 安装(最大值):0.061"(1.52mm) 标准包装:1 AL0450520000G 功能描述:ACCESSORIES 制造商:amphenol anytek 系列:* 零件状态:在售 标准包装:90 AL01ZWS 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:2,500 AL01ZWK 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:2,500 AL01ZV1 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole Axial 制造商:sanken 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 AL06FD15-ACS(IP) AL06UD13-35S(IP) AL07F11-35CN AL07FD11-35P(IP) AL07FD15-35P(IP) AL07FD15-97P(IP) AL07FD15-ACP(IP) AL07UD13-35P(IP) AL108 AL10A AL11 AL1100520000G AL11005200J0G AL1100530000G AL11005300J0G AL12 AL12A08N0GTR AL12A08N0JTR
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