ALD11G48-L

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型号
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说明
操作

ALD11G48-L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Artesyn Embedded Technolo
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

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功能描述
DC/DC转换器 2.5V @ 11A POS 5mm
RoHS
否
制造商
Murata
产品
输出功率
输入电压范围
3.6 V to 5.5 V
输入电压（标称）
输出端数量
1
输出电压（通道 1）
3.3 V
输出电流（通道 1）
600 mA
输出电压（通道 2）
输出电流（通道 2）
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体尺寸

ALD11G48-L 技术参数

ALD11G48-6L 功能描述:CONV DC/DC 27.5W 36-75VIN 11A 制造商:artesyn embedded technologies 系列:ALD15 包装:托盘零件状态:有效类型:隔离模块输出数:1 电压 - 输入（最小值）:36V 电压 - 输入（最大值）:75V 电压 - 输出 1:2.5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:11A 功率（W） - 制造系列:35W 电压 - 隔离:1.5kV（1500V）应用:ITE（商业）特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP，UVLO 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP 模块，1/16 砖大小/尺寸:1.30" 长 x 0.90" 宽 x 0.34" 高（33.0mm x 22.9mm x 8.6mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:89% 功率（W） - 最大值:27.5W 标准包装:150 ALD118 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 18VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包装:管件零件状态:过期继电器类型:通用线圈类型:无锁存线圈电流:11.1mA 线圈电压:18VDC 触头外形:SPST-NO（1 A 型）额定接触（电流）:3A 开关电压:277VAC，30VDC - 最大导通电压（最大值）:13.5 VDC 关闭电压（最小值）:0.9 VDC 工作时间:10ms 释放时间:10ms 特性:- 安装类型:通孔端子类型:PC 引脚触头材料:银镍（AgNi）线圈功率:200 mW 线圈电阻:1.62 千欧工作温度:-40°C ~ 70°C 标准包装:50 ALD114935SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD114935PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD114913SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L ALD13Y48-L ALD13Y48N-6L ALD13Y48N-L ALD13Y48N-SL ALD13Y48-SL ALD14H ALD1502PAL ALD1502SAL ALD15K48-6L ALD15K48-L ALD15K48N-6L ALD15K48N-L ALD15K48N-SL ALD15K48-SL ALD1701APAL