ALD214012PJ111全国供应商【买卖IC网】ALD214012PJ111资料|PDF Datasheet|价格 TDK

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价格
说明
操作

ALD214012PJ111
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
原厂封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

ALD214012PJ111
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
原厂封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

ALD214012PJ111
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6450
TDK
ROHS
1316+
-
原装正品，现货库存!400-800-03...

ALD214012PJ111
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
405
TDK-Lambda Americas Inc.
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

ALD214012PJ111
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
TDK-Lambda Americas Inc.
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
CONV DC/DC DUAL 12VDC 0.14A
RoHS
是
类别
电源 - 外部/内部（非板载） >> LED 电源 - 恒定电压
系列
ALD
标准包装
1
系列
LXV150
类型
恒定电压
拓扑
AC DC 转换器
输出数
1
电压 - 输入（最小）
90VAC
电压 - 输入（最大）
264VAC
输出电压
40V
电流 - 输出（最大）
3.75A
功率（瓦特）
150W
电压 - 隔离
3.75kV（3750V）
调光
-
特点
OCP，OTP，OVP，SCP
工作温度
-35°C ~ 70°C
效率
93%
端接类型
导线引线
尺寸/尺寸
8.90" L x 2.66" W x 1.57" H（226.0mm x 67.5mm x 40.0mm）
安装类型
底座安装
批准
CE，cULus，EN
额定值
IP67
重量
2.3 磅（1kg）

ALD214012PJ111 技术参数

ALD212914SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD212914PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD212908SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD212908PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD212908ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD2302APAL ALD2302ASAL ALD2302PAL ALD2302SAL ALD2303APAL ALD2303ASAL ALD2303PAL ALD2303SAL ALD2321APCL ALD2321ASCL ALD2321BPCL ALD2321BSCL ALD2321PCL ALD2321SCL ALD2331APAL ALD2331ASAL ALD2331BPAL ALD2331BSAL