AO34010

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AO34010 技术参数

AO3400A_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO3400A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3400_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO3400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:初步 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5.8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 AO3162 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6pF @ 25V 功率 - 最大值:1.39W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 AO3406_104 AO3406L AO3406L_104 AO3407A AO3409 AO3409_103 AO3413 AO3414 AO3414L AO3414L_105 AO3415 AO3415_108 AO3415A AO3415AL AO3415AL_103 AO3415B AO3415L_107 AO3416