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AO3460L

配单专家企业名单
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  • AO3460L
    AO3460L

    AO3460L

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 15862

  • ALPHA

  • SOT-23

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货热卖

  • AO3460L
    AO3460L

    AO3460L

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

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  • 20000

  • AOS/万代

  • SOT-23

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

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    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 30000

  • AOS美国万

  • SOT-23

  • 15pb

  • -
  • 全新原装现货,假一罚十

  • AO3460L
    AO3460L

    AO3460L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

  • AOS

  • SOP8

  • 最新批号

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  • AO3460L
    AO3460L

    AO3460L

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • SOT-23

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 停產
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 650mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 27pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 1.4W(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.7 欧姆 @ 650mA,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • SOT-23
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 标准包装
  • 3,000
AO3460L 技术参数
  • AO3460 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.65A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):650mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 欧姆 @ 650mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):27pF @ 30V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3456 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):200pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 3.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23-3 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:3,000 AO3442 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 50V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3438 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:6,000 AO3435 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO4264E AO4266 AO4266E AO4268 AO4286 AO4290A AO4292 AO4292E AO4294 AO4296 AO4302 AO4304 AO4304_001 AO4306 AO4310 AO4312 AO4314 AO4354
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