AO4292A

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AO4292A 技术参数

AO4292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4290A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4525pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.4 毫欧 @ 15.5A, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:2,500 AO4286 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:390pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4268 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 毫欧 @ 19A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.5 毫欧 @ 11A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4314 AO4354 AO4402 AO4403 AO4403L AO4404B AO4404BL AO4404BL_101 AO4405E AO4405L AO4406 AO4406A AO4407A AO4407B AO4407BL AO4407L AO4409 AO4411