AO4438_101

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 8.2A 8SO
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2300pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
22 毫欧 @ 8.2A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装
3,000

AO4438_101 技术参数

AO4438 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4437L 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:47nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4750pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 11A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4437 功能描述:MOSFET P-CH 12V 11A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 11A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:47nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4750pF @ 6V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4435L_102 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4435_103 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4448L AO4449 AO4449L AO4450 AO4450_101 AO4450L AO4452 AO4453 AO4454 AO4455 AO4456 AO4459 AO4459L AO4466 AO4466_102 AO4468 AO4474 AO4476A