AO4459L/AO4459

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AO4459L/AO4459
深圳市深美诺电子科技有限公司
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地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
AO
SOP8
22+
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AO4459L/AO4459
深圳市华芯盛世科技有限公司
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AO4459L/AO4459 技术参数

AO4459L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:830pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4459 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:830pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4456 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5185pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4455 功能描述:MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 15A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4454 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4476AL_102 AO4476G AO4478 AO4480 AO4482 AO4482L_102 AO4484 AO4484_101 AO4485 AO4485_102 AO4485L_102 AO4486 AO4488 AO4488L AO4488L_101 AO4490 AO4490L AO4492