AO4713

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AO4713 技术参数

AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 11.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1885pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 12.7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2376pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4708 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3360pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4706 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:77nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5000pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4771L AO4772 AO4800B AO4800L AO4801A AO4801AL AO4801AL_001 AO4801AS AO4801HL AO4801L AO4803A AO4803AL AO4803L AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L AO4807